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Tipo: Article
Título: Effects of Te additions and stirring in the In segregation in Ga1-xInxSb alloys
Autor(es): Cândida Klein
Berenice Anina Dedavid
Kendra D'abreu Neto Fernandes
Nestor Heck
En: REM - International Engineering Journal
Fecha de Publicación: 2016
Volumen: 69
Número: 4
Primera página: 465
Última página: 471
Palabras clave: GaInSb
compound semiconductor III-V,
bulk crystals
vertical Bridgman
Tellurium
URI: http://hdl.handle.net/10923/12427
DOI: DOI:10.1590/0370-44672015690167
ISSN: 2448-167X
Aparece en las colecciones:Artigo de Periódico

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