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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://hdl.handle.net/10923/15196
Tipo: conferenceObject
Título: Analyzing the behavior of FinFET SRAMs with resistive defects
Autor(es): COPETTI, THIAGO S.
BALEN, TIAGO R.
MEDEIROS, GUILHERME C.
Letícia Maria Bolzani Pöhls
En: 2017 IFIP/IEEE International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI-SoC), 2017, Brasil.
Fecha de Publicación: 2017
URI: http://hdl.handle.net/10923/15196
DOI: DOI:10.1109/vlsi-soc.2017.8203483
ISBN: 9781538628805
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