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Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/10923/17120
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dc.contributor.authorIzete Zanesco-
dc.contributor.authorLeila Rosa de Oliveira Cruz-
dc.contributor.authorRodrigo Amaral de Medeiro-
dc.contributor.authorAdriano Moehlecke-
dc.contributor.authorMoussa Ly-
dc.date.accessioned2021-05-19T14:42:20Z-
dc.date.available2021-05-19T14:42:20Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.issn2178-9606-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10923/17120-
dc.language.isopt_BR-
dc.relation.ispartofRevista Brasileira de Energia Solar-
dc.rightsopenAccess-
dc.subjectCélulas Solares de silício-
dc.subjectPassivação de superfícies-
dc.subjectÓxidos condutores transparentes-
dc.titlePassivação das regiões altamente dopadas n+ e p+ em células solares de silício cristalino com filmes de ZnO:Al-
dc.typeArticle-
dc.date.updated2021-05-19T14:42:19Z-
dc.jtitleRevista Brasileira de Energia Solar-
dc.volumeX-
dc.issue1-
dc.spage49-
dc.epage55-
Appears in Collections:Artigo de Periódico

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